FQD2N100TM
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Anschlüsse, Verbindungen
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Fairchild Semiconductor FQD2N100TM
| Artikelnummer: | FQD2N100TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Fairchild Semiconductor FQD2N100TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD2N100TM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 800mA, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc) FQD2N100TM Einzelheiten PDF [English] FQD2N100TM PDF - EN.pdf -
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